三星电子否认高带宽内存芯片存在发热与功耗问题

　　5月27日消息，近日，有外媒报道称三星电子最新研发的高带宽内存(HBM)芯片因发热和功耗问题，在英伟达(Nvidia)的严格测试中未能达标。然而，三星电子发布声明，对相关报道予以否认，并强调公司正与多家全球合作伙伴顺利进行HBM芯片的测试过程。

　　此前，据路透社消息，有知情人士透露，因发热和功耗问题，三星的HBM芯片，包括其HBM3芯片及即将推出的第五代HBM3E芯片，在英伟达的测试中表现不佳。HBM3芯片是目前人工智能图形处理单元(GPU)中广泛使用的关键组件，其性能对于高端计算需求至关重要。

　　三星近日发表声明称：“我们正在与全球各合作伙伴顺利开展 HBM 供应测试。我们正在努力提高所有产品的质量和可靠性。我们正在严格测试 HBM 产品的质量和性能，为客户提供最佳解决方案。”

编辑：黄 敏

审核：袁 野